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由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压

时间:2019-09-28 18:58来源:未知 作者:admin 点击:
难题带来了越来越多的问题:10/7nm 之后还将怎样延展?有多少公司将参与进来?它们将要应对哪些市场? 至少,节点迁移将在数值继续下降之前往水平方向扩展。在 7nm 节点,预计将会

  难题带来了越来越多的问题:10/7nm 之后还将怎样延展?有多少公司将参与进来?它们将要应对哪些市场?

  至少,节点迁移将在数值继续下降之前往水平方向扩展。在 7nm 节点,预计将会出现比之前任何节点都更重要更显著的改进,所以 10/7nm 不会只有一个版本,而很可能在前进到 7/5nm 之前至少会有两三次(或更多)迭代。

  在这种减速背后,前端设计和后端制造的隔离也越来越大,造成这种情况的关键原因有几个。首先,节点尺寸缩小的成本已经变得非常高昂,已经不再是一个自然而然的决策了,即使对于最大的公司来说也是这样。尤其是无晶圆厂芯片制造商也正小心谨慎地采用昂贵的新工具和新方法,因为在领先节点上的高容量市场机会更少了。苹果和三星等系统供应商已经开始为移动手机开发自己的芯片,而谷歌、Facebook、亚马逊和微软也已经开始为云设计自己的芯片了。这种情况所带来的净影响是高容量市场变少了,使得其它企业难以收回投资成本。

  “对于一些应用而言,尤其是移动和云基础设施,它们必须驱动性能增长。”Cadence总裁兼 CEO 陈立武说,“它们正在下降到 10nm,而且它们还将继续下降到 7nm 甚至 5nm。但性能和价格延展的速度已经放缓,而成本正在上扬。现在已经没有非常大的性能差异了。所以对于一些公司来说,已经没有什么让人信服的理由去下降到 7nm 了。这取决于产品、开发周期和差异化三角(delta of differentiation)。”

  幸运的是,过去 18 个月出现了一些新市场。尽管这些市场没有任何一个有希望带来十亿以上单位的需求(而在移动手机市场这是有可能的),但它们合在一起形成了一个更大的市场机会,其中包括汽车和医疗电子,用于机器学习、人工智能、增强现实/虚拟现实、IoT/IIoT 的芯片,以及可以按需优化的更灵活的服务器架构。

  作为参考,SEMI 曾表示汽车电子市场预计将在 2020 年达到 2800 亿美元,而据 SEMI 的 CEO Ajit Manocha 表示,医疗电子市场则将在 2024 年达到 2190 亿美元。甚至还有更亮眼的数据,预计 2 万亿美元的电子产品供应链将在未来五年内翻番,达到 4 万亿美元。与此同时,相比于过去十年里个位数的低增长,半导体行业正表现出健康的 12% 的增长。

  并不是所有这些新兴市场都需要用最新工艺节点生产的芯片。即使是在汽车领域,虽然目前有正在 7nm 节点开发的复杂 ADAS 逻辑,但同一款汽车的其它芯片则是在更老的节点上开发设计。而对于 IoT/IIoT,许多芯片都是用 200mm 晶圆工艺制造的,这使得它们的设计和制造要便宜得多。

  这个情况的短期缺点是会造成巨大的产能短缺。为了缓解这一产能危机,据 SEMI,中国已有 6 家新的 200mm 晶圆厂正在建造中,其它地方还有另外 2 家。这其中至少有一部分原因是源于对已有工艺节点的发展机遇的关注。根据这些其它市场的进展情况以及它们迁移到更新工艺的方式的不同,一些目前仍在研发之中的技术推广到整个市场的速度也会受到影响。

  造成减速的第二个原因是在先进节点上,设计、检查和测试芯片的难度更大了。热、静电放电和电磁干扰等物理效应在 7nm 节点比在 28nm 节点更加显著。另外要让信号穿过更细的线也需要更多电力,电路对测试和检查以及芯片上的热迁移也更加敏感。所有这些需求都要被考虑进来,并且使用多种物理模拟、仿真和原型设计方法进行模拟。

  这在智能手机领域已经非常糟糕了,而智能手机芯片可以在数亿乃至数十亿的设备中销售而得到补偿。但随着先进节点芯片进入汽车和医疗应用中,它们还将在安全性方面受到更大的制约。在汽车中,芯片需要在恶劣的环境条件中以严格的运行参数工作十年以上。

  “理想情况下,你需要检查所有东西,但这需要时间和金钱以及对计量技术的大量投资。”ASML 应用产品管理总监 Henk Niesing 说,“对于随机缺陷,你仍然在这一领域。但这样的话,你就不需要增加更多计量。你可以在计算方面做到更多。”

  迁移变慢的第三个原因是尽管人们对光刻问题(多重图案、掩模对准、更好的抗蚀剂和 EUV)有很大的关注,但这只是冰山一角。高数值孔径EUV 将很有可能将光刻推进至至少 2nm,甚至可能达到 1nm。但从 10/7nm 开始,边缘放置误差等问题的影响就变得越来越大了。接触也将需要新的材料。还有一直以来都是一个可控问题的线边缘粗糙度( line-edge roughness)也正变得越来越棘手。

  因此,简单地降低尺寸已经不再有效了。一种方法不能解决所有问题,俄罗斯试管婴儿:人工授精的周期时长与流程。即使在一些可以应用同样方法的地方,企业也必须根据终端市场、供应链甚至特定代工厂工艺的 IP 可用性进行权衡。简单来说,解决这些问题不再是对过去方法的线性扩展,而且显然越来越强调使用新的材料来解决问题,即新的化学方法,有些涉及到自由基、不同的元素或元素组合,有些需要使用热、冷、压力或真空等一系列步骤来开发。

  比如说,新的工具和材料类型可以解决边缘放置错误(EPE)问题。EPE 基本上就是指想要得到的 IC 布局和实际印刷结果之间的差异。

  “你可以使用材料来解决边缘放置问题,”Applied Materials 蚀刻和图案化策略副总裁 Uday Mitra 说,“它成本效益更好,且允许更激进的扩展,这反过来又能带来更宽松的设计规则。材料也比光刻便宜,所以你不必为所有一切都使用 EUV。”

  除了材料之外,该行业也正受益于原子层蚀刻(ALE)的兴起。和通过连续的方式移除材料的传统蚀刻工具不同,ALE 有望在原子尺度上选择性地和准确地移除目标材料。

  “改善单位晶体管成本的唯一方法是与材料创新一起,”Mitra 说,“所以即使当掩模没有对准时,你也可以选择性地蚀刻掉仅仅一部分材料。这样你就不必担心边缘放置,用于放置问题的材料可以继续扩展,而不会造成产出问题。”

  这是一种方法。另一种方法是计算建模(computational modeling),而且这两种方法并不相互排斥。从设计的前端的迹象来看,芯片制造商和代工厂的工作需要比过去远远更多的工具。比如,在验证方面,需要使用多种类型的加速硬件来提升可靠性。而在制造方面,大部分先进设备都在前沿节点上。为了应对世界各地日益增长的数量,销量预计将保持稳健,半导体行业应该会更加严肃地对待不同的方法,而不只是缩小器件尺寸。

  材料是这一思想的一个重要延展。德国 Merck 的业务领域半导体封装解决方案负责人 Benedikt Ernst 说定向自组装(DSA)技术正在取得进展,可作为 EUV 的辅助技术。这两种技术都严重依赖于新材料。

  DSA 也已经得到了先进节点扩展领域从业者的兴趣,可被用作一种减少线边缘粗糙度(LER)的方法。Coventor 首席技术官 David Fried 说,LER 一直以来都是一个问题,但在 7nm 和 5nm 节点,这个问题变得更加糟糕,因为图案的尺寸正开始接近 LER 的尺寸。

  “你实际上可以通过定向自组装改善图案,”Fried 说,“还将有沉积、蚀刻和清洁技术,可以用于在图案化流程和整体集成流程中改善图案粗糙度。”

  其他人则在使用所谓的平滑化(smoothing)技术来解决 LER。这是通过使用 ALE 对图案的粗糙边缘或孔进行平滑或修补来完成的。

  “目标是获得可用的增长空间并加以利用,”Teklatech CEO Tobias Bjerregaard 说,“我们必须使设计工作更简单轻松。随着功率密度上升,我们看到时序和可布线性的问题也越来越多。可布线性和功率使得我们难以修复时序,而在最先进的节点上,这个情况更糟糕。”

  这也是 Imec 和 Leti 等研究机构以及台积电、英特尔Custom Foundry和三星 Foundry 等的绘图板上有如此之多的新型晶体管的原因之一。其中有的是纳米片(nanosheet),有的是垂直和水平的纳米线(nanowire)。到目前为止,我们还不能确定哪些会取得成功。

  但芯片制造商表示任何未来的解决方案现在都需要得到更全面的考量。随着新兴市场开始得势,整个半导体行业可能需要一次重置,从初始概念和芯片架构一直到光刻、制造工具、材料以及生产前后的检验与验证。好在为最先进节点开发的技术也可用于更老的节点,这有助于降低实现好产量的成本和时间。

  另一种选择是将不同节点开发的不同计算元素放到一起来开发芯片。英特尔和三星正在领导半导体行业向最先进的节点冲锋,但它们也在为 fan-out 封装开发过渡技术,有望包括那些在不同工艺节点开发的技术。所有主要的代工厂和封装厂也都在这个方向上努力,因为其可以让最先进的节点用于更一般的逻辑结构,从而可与在更老节点开发的其它组件集成起来。

  “我们正看到 CoWoS(chip on wafer on substrate)被用于云服务器,在这里你需要更多芯片、更多内存和一个用于高性能和高带宽但成本不会太高的 silicon interposer。”台积电的一位总监 Tom Quan 说,“而 InFO(Integrated Fan-Out)足以满足移动和物联网市场的需求。你可以创造更多衍生,俄罗斯试管婴儿找助孕妈妈。并将它们并排或重叠放置,而且你可以在模塑料中增加几个重新分配层(redistribution layers)。”

  “在抗蚀剂和导电胶方面,有大量研究项目。导电胶是使用预封装来替代铅。” Merck 的 Ernst 说,“其中一些方法要使用非常厚的抗蚀剂来产生铜柱,可厚达 200 微米。DSA 也进展良好。即使目前还没有实现商业化,但研究一直在持续。但现在已经没有根本性问题了。与此同时,对于已有的节点,我们需要非常纯净的材料。你可以缩小结构的尺寸,但不能缩小光刻的,而那需要在前端和后端的新材料。”

  过去几十年来,肯定是自 45nm 节点以来,半导体行业制造方面的大多数公司都执着于将 EUV 推向市场。现在,它开始实际生产了,大家都在欣慰地感叹我们发明的一种最为复杂的技术终于开始工作了。尽管这无疑将有助于扩展到未来的节点,但市场正在往许多方向发力,而不只是缩减到更小的特征尺寸。

  对于一些企业来说,缩减尺寸的关键总是与成本相关。对于另一些企业,则是重在功率和性能。然而在最先进的节点上,这三个因素的实现都在变得更加困难,且替代方法也越来越受欢迎。这并不意味着尺寸缩减陷入了困境。但这却实实在在意味着这个方法并不是对每个人都有用,而且它可能并不是唯一的方法的,即使是在那些使用了最小特征尺寸的设备中也是如此。摩尔定律现在还好好活着,但它已经不再是唯一的发展道路了。取决于市场和市场份额的不同,它可能也不再是最好的方法了。

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  低压降(LDO)线性稳压器专为需要低噪声工作,快速响应时间和低压差的便携式电池供电应用而设计。该器件无需外部噪声旁路电容即可实现低噪声性能。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,以及电流限制和温度限制保护电路。 NCP500 LDO线性稳压器设计用于与低成本陶瓷电容器一起使用,要求最小输出电容为1.0 mF。标准电压版本为1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 150 mA时超低压降170 mV 快速启用20微秒的开启时间 1.8 V至6.0 V的宽工作电压范围 出色的线路和负载调节 高精度输出电压2.5% 启用可以通过1.0 V逻辑直接驱动 非常小的QFN 2x2封装 无铅封装可能有售。* G-Suffix表示无铅铅...

  系列低静态电流低压降(LDO)线性稳压器最初设计用于手持通信设备和便携式电池供电应用,可用于需要超低静态电流的汽车应用。它应该用作后置调节器件,因为该产品不能防止汽车电池工作所固有的高输入瞬态电压。 该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻器,以及电流限制和温度限制电路等保护功能。 NCV663设计用于低成本陶瓷电容器,需要最小0.1μF的输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。提供无铅电镀选项。 标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 超低静态电流2.5 uA典型 低输出电压选项低至1.5V,输出电压精度为+/- 2%。 温度范围-40C至125C 集成保护:电流限制,热关断 AEC合格 PPAP Capable 应用 终端产品 信息娱乐:卫星广播,导航系统 Body ElectronicS 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  NCP7800 线引脚,固定输出,正线性稳压器组成,适用于各种应用。这些稳压器非常坚固,内置电流限制,热关断和安全区域补偿。通过足够的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。这些产品可直接替代流行的MC7800系列,提供增强的ESD保护。 特性 优势 输出电流超过1.0 A 适用于各种各样的应用程序 无需外部组件 设计简单并且非常划算 内部热过载保护 可在各种操作条件下使用 内部短路电流限制 坚固耐用 标准版3 Lea中提供d晶体管封装 出色的功耗 增强型ESD容差:HBM 4 kV(5 V和8 V选项),3 kV(12 V和15 V选项)和MM 400 V 降低最终产品装配过程中受损的风险 这些是无铅设备 符合监管要求且环保 输出晶体管SafeArea补偿 输出电压提供4%容差 对于更严格的公差和扩展的工作范围请参阅MC7800 应用 终端产品 电源 船上监管后 工业和消费者应用 冰箱,空调,家用电器 电视,机顶盒,天线驱动器 电路图、引脚图和封装图...

  3是一种驱动多个外部开关元件的设备,可实现3个独立功能。可以通过适当选择占空比和电池电压来调节每个LED串中的平均电流。该设备的目标应用是汽车后组合灯。每个驱动器都有自己的诊断功能,可以检测开路负载,接地短路或电池.LED平均亮度水平可通过适当的占空比控制和与开关晶体管串联的外部电阻轻松编程。多串LED可通过单个NCV7693器件运行。该器件采用TSSOP-14封装。 特性 3x脉冲宽度调制(PWM)控制 每个功能的独立诊断反馈 外部切换用于宽电流范围灵活性的装置 外部电阻器定义最大电流 打开LED灯串诊断 短 - 电路LED灯串诊断 热关断诊断和保护 PWM输入引脚上的短路保护 多个LED灯串控制 TSSOP-14包 AEC-Q100合格且PPAP能力 应用 后组合灯(RCL) 日间行车灯(DRL) 雾灯 中央高位刹车灯(CHMSL)阵列 转向信号 电路图、引脚图和封装图...

  系列固定输出低静态电流低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP502系列具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP502设计用于低成本陶瓷电容器。 LDO线表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,2.9,3.0,3.1,3.3,3.4,3.5,3.6,3.7,3.8和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 典型值为40μA的低静态电流 优良线路和负载调节 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 应用 手机 电池供电消费品 手持式仪器 可携式摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...

  固定输出低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP512具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP512设计用于低成本陶瓷电容。 LDO采用微型SC70-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.2,2.5,2.7,2.8,3.0,3.1,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流40μA典型 低压差250 mV,80 mA 低输出电压选项 输出电压精度2.0% 工业温度范围-40° C到85°C 应用...

  固定输出LDO线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP699系列具有40 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的内部电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP699设计用于低成本陶瓷电容器。该器件采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.4,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.1,3.3,3.4和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 优势 极低地电流为40 uA典型 最大限度地降低功耗 150 mA时的低压差340 mV和3.0 V Vout 延长电池使用量。保留更长的监管 启用控制(高电平有效,支持低于1伏逻辑) 输出电压精度为2.0% 工作温度范围-40C至+ 85C 使用1 uF陶瓷或钽电容器稳定 应用 终端产品 移动电话 电池供电的消费产品 HandHeld Instruments 打印机和办公设备 摄像机和相机 打印机 电路图、引脚图和封装图...

  列固定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP698系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP698设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可提供无铅电镀选项。 特性 优势 超低静态和接地电流 最小化功耗 低压差 延长电池使用时间。保留更长的监管。 低输出电压选项 输出电压准确度为2.0% 温度范围-40C至85C 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...

  定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP562系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP562设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可以使用无铅电镀选项。 特性 典型值为2.5μA的低静态电流 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% -40°C至85°C的温度范围 NCP562提供启用引脚 Pb - 免费套餐可用 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...

  固定输出低静态电流低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP511具有40μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP511设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为1.0 5F。 LDO采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低典型值为40μA的静态电流 100 mA时100 mV的低压差电压 出色的生产线和负荷调节 最大工作电压6.0 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 无铅封装可用 应用 手机 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...

  0负线性稳压器用于补充流行的MC78M00系列器件。 可提供-5.0,-8.0,-12和-15 V的固定输出电压选项,该负线性稳压器采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数操作下非常坚固条件。通过充分的散热,可以提供超过0.5 A的输出电流。 规格: MC79M00B MC79M00C 公差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 DPAK,TO-220 DPAK,TO-220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 也可用于表面贴装DPAK(DT)封装器件类型/标称输出电压MC79M05 -5.0 VMC79M 12-12 V MC79M08-8.0 VMC79M15-15 V 无铅封装可能有效。 G-Suffix表示 电路图、引脚图和封装图...

  MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

  8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  00低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 MC78LC00系列具有1.1μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00低压降(LDO)线性稳压器设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为0.1μF。 LDO采用微型薄型SOT23-5表面贴装封装和SOT-89,3引脚封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,4.0和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流1.1μA典型 出色的线路和负载调节 最大工作电压12 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.5% 工业温度范围-40°C至85°C 两个表面贴装封装(SOT-89,3针或SOT-23,5针) 无铅封装可用 应用 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...

  固定输出负线性稳压器旨在作为流行的MC7800系列器件的补充。该负电压调节器提供与MC7800器件相同的七电压选项。此外,负系统MC7900系列还提供MECL系统中常用的一个额外电压选项。 这些线 V的固定输出电压选项,采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数工作条件下非常坚固。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。 规格: MC7900AC MC7900B MC7900C 容差 2% 4% 4% 温度范围 0°C至+ 125°C -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125° C 包装 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO -220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 2%电压T可用油酸(参见订购信息) 无铅包可能有货。 G-Suffix表示无铅铅涂层。 电路图、引脚图和封装图...

  10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 可编程扩频 EMI降低 打嗝过流保护 短路事件期间降低功率 个别复位引脚可调延迟 电压监控 带有可湿性侧面...

  8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流

  150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...

  10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 打嗝过流保护 在短路事件期间降低功耗 具有可调延迟的单个复位引脚 电压监控 可编程扩频 EMI降低 带有可...

  NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

  5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...

  3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...

  0 / MC78M00A正线系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:

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